毋庸置疑，同样电路设计条件下5nm的芯片肯定比7nm芯片的芯片性能要好。综上所述，芯片的制程直接影响到芯片的性能。制程对芯片性能的影响芯片行业流传着一个定律叫，摩尔定律。人类对芯片性能的无限追求，导致了芯片制程的不断进步。制程就是指晶体管中栅极的最小宽度，以7nm芯片为例，7nm芯片就是指该芯片中晶体管的栅极最小宽度为7nm。
5纳米芯片与7纳米芯片哪个好？
毋庸置疑，同样电路设计条件下5nm的芯片肯定比7nm芯片的芯片性能要好。nm（纳米）是一个长度单位，数字越小说明芯片的加工工艺越先进。芯片的加工工艺有个专业名词，叫制程。为什么同样的电路设计：5nm制程的芯片就是比7nm制程的芯片好呢，其中的原因还是让我为您娓娓道来。什么是芯片的制程芯片是手机、电脑等很多电子产品的核心器件，因为封装在电子产品内部，很少人能够看到其庐山真面目。
事实上，芯片是由大量的晶体管按照特定设计图纸的要求连接起来，从而实现数据运算与处理的大规模集成电路。因此可以看出，晶体管是组成芯片的基本单位。晶体管的结构如下图所示：晶体管由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）三部分组成。电流从源极流向漏极，栅极可以控制源极和漏极间电流的通断；栅极的宽度决定了电流通过时的损耗。
制程就是指晶体管中栅极的最小宽度，以7nm芯片为例，7nm芯片就是指该芯片中晶体管的栅极最小宽度为7nm。制程对芯片性能的影响芯片行业流传着一个定律叫，摩尔定律。它是由英特尔的创始人之一戈登·摩尔提出来的，内容是：当价格不变时，芯片上容纳的晶体管的数量，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
从中我们可以读出以下信息：晶体管数量决定了芯片性能的高低。栅极的大小可以决定晶体管体积的大小，而栅极的大小取决于芯片制造过程中的制程。也就是说制程决定了芯片的性能，其影响主要体现在以下两点：1.芯片功耗和发热的减少：栅极越窄，源极和漏极间的电流通过时遇到的阻力越小，芯片运行的电流就可以越小；另外电流损耗部分转化成的发热就越少。
因此芯片的运行功耗和发热量就可以有效降低。2.数据处理性能的提升：晶体管体积越小，在同等面积的条件下，可容纳的晶体管数量就会增加。晶体管相当于一个开关，晶体管数量越多，开关就越多，对电路里电流的逻辑控制能力就越强，芯片对数据的处理性能也就越强。综上所述，芯片的制程直接影响到芯片的性能。人类对芯片性能的无限追求，导致了芯片制程的不断进步。
固定式发射井的导弹生存能力低，我国为何还保留“东风-5”？
谢邀，导弹问题问W君没毛病！固定式导弹发射井生存能力的高低咱们先暂且不论。先说说如何打导弹发射井吧。搞明白了这个问题，我们才可以真的了解固定发射井生存能力到底是怎样的。这是一个从空中拍摄的导弹发射井外部设施图，一个导弹发射井和其周边外围设施尽收眼底。但是这是飞机在低空拍摄的自家发射井照片，设施才可以清晰可辨。
同样的发射井如果从中空去看，基本上就已经很难辨认设施了如果是在卫星上去看同一个导弹发射井，就已经十分难以辨认了首先的一个论据——导弹发射井并非大家想象的那么容易被发现。之前出过一个段子，美国兴冲冲的通报，发现了一个我们的导弹发射井群。其实走进了看那只是我们的土楼。东风-5导弹的直径只有3.35米，而一个东风-5导弹发射井的范围也就只有方圆10米多一点，这个大小在卫星上第一不好辨认、第二则是很难精确定位。
那么我们继续走近一个发射井看看发射井的样子：大多数导弹发射井上面覆盖了1-2米厚的钢结构井盖。通过精心设计的泄压结构对整个发射井提供完善的保护。基本上目前服役的导弹发射井的防护标准是30万吨当量核弹直接命中不影响使用，俄罗斯的是50万吨级核弹直接命中不影响使用。所以这里就引出了一个论据二——弹道导弹发射井并不容易摧毁。
用钻地炸弹去炸可以吗？还真不行！从结构上了解一下就会发现，一个导弹发射井边缘的防护并不比顶部防护更弱。为了能够切实的摧毁对方的导弹发射井，美国和苏联不断的加大了自己核弹当量。本来仅仅需要一枚30万吨当量的核弹就能够重创一座城市，而美苏却开发了大量50万吨-80万吨甚至一百万吨级的核弹头。这些核弹攻击城市就是杀机的牛刀了，它们唯一要摧毁的目标则是——对方的弹道导弹发射井。
所以只有用超大当量的核弹精准打击才可以摧毁导弹发射井。但是要注意的一点是，导弹发射井是一个黑箱，平时盖着盖子覆盖伪装后很难判定井内是不是有一枚导弹，也许就是一个空的假目标。所以对于真正摧毁一个导弹发射井使这个国家丧失掉一枚洲际导弹，往往需要发射10-15枚洲际导弹进行摧毁。这种交换比还是很划算的。因此固定发射井导弹还是很有威慑能力。
